Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS10Y
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.93 | Dhs. 16.93 |
| 15+ | Dhs. 16.40 | Dhs. 246.00 |
| 25+ | Dhs. 16.05 | Dhs. 401.25 |
| 50+ | Dhs. 15.16 | Dhs. 758.00 |
| 100+ | Dhs. 13.37 | Dhs. 1,337.00 |
| N+ | Dhs. 2.67 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS10Y - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
Le circuit intégré IDT71V416VS10Y de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone de 4 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et fonctionne sous une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Haute densité : une capacité de mémoire de 4 Mbit avec une organisation de 256 Ko x 16 offre un espace de stockage conséquent.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour des performances écoénergétiques.
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
- Large plage de températures : température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements industriels
- Conditionnement fiable : boîtier CMS 44-SOJ pour un assemblage robuste sur circuit imprimé
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SRAM est idéal pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant un soutien à long terme
- Systèmes électroniques et de contrôle automobiles
- Automatisation industrielle et contrôle des processus
- équipement d'infrastructure de télécommunications
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Mise en mémoire tampon et cache de données à haute vitesse
Pourquoi choisir le Renesas IDT71V416VS10Y ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Le contrôleur IDT71V416VS10Y offre la fiabilité et les performances requises pour les applications critiques où l'intégrité et la vitesse des données sont primordiales.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont sujettes aux fiches techniques du fabricant. Contactez-nous pour obtenir de l'aide à l'intégration, des tarifs dégressifs et des informations sur le cycle de vie du produit.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | Tube |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
IDT71V416VS10Y.pdf