Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS10Y8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.37 | Dhs. 16.37 |
| 15+ | Dhs. 15.85 | Dhs. 237.75 |
| 25+ | Dhs. 15.51 | Dhs. 387.75 |
| 50+ | Dhs. 14.65 | Dhs. 732.50 |
| 100+ | Dhs. 12.92 | Dhs. 1,292.00 |
| N+ | Dhs. 2.58 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS10Y8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La puce mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IDT71V416VS10Y8 de Renesas Electronics offre une capacité de 4 Mbits et est conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation en 256 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : architecture mémoire 256 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Large plage de températures : température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C, adaptée aux applications commerciales
- Conception pour montage en surface : boîtier 44-BSOJ/44-SOJ pour un assemblage automatisé et des agencements de circuits imprimés compacts.
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle simple et rapide pour une intégration facile
- Conditionnement pratique : Disponible en bande et bobine pour la production en grande série
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est idéale pour les équipements de réseau, les systèmes d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire tampon de données ou une mémoire cache à haute vitesse.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir cette SRAM ? Bénéficiant de la réputation de qualité et de fiabilité de Renesas Electronics, l’IDT71V416VS10Y8 offre des performances éprouvées avec une traçabilité complète et un support à long terme, essentiels pour les applications et conceptions critiques nécessitant une disponibilité produit prolongée.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
IDT71V416VS10Y8.pdf