Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS12BE8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.37 | Dhs. 16.37 |
| 15+ | Dhs. 15.85 | Dhs. 237.75 |
| 25+ | Dhs. 15.51 | Dhs. 387.75 |
| 50+ | Dhs. 14.65 | Dhs. 732.50 |
| 100+ | Dhs. 12.92 | Dhs. 1,292.00 |
| N+ | Dhs. 2.58 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS12BE8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
L' IDT71V416VS12BE8 est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité de Renesas Electronics Corporation, conçu pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie. Avec un temps d'accès de 12 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, de télécommunications et médicales.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns - Idéal pour les applications critiques nécessitant une récupération rapide des données
- Capacité mémoire de 4 Mbit avec une organisation de 256 Ko x 16 – Un équilibre optimal entre densité et performances
- Fonctionnement à basse tension (3 V à 3,6 V) – Réduit la consommation d'énergie et la production de chaleur
- Boîtier CMS 48-CABGA - Conception compacte pour circuits imprimés compacts
- Interface parallèle - Intégration simple aux architectures système existantes
- Plage de températures industrielles (0 °C à 70 °C) - Fonctionnement fiable dans des environnements exigeants
- Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour les processus d'assemblage automatisés
Applications
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux, à l'électronique automobile et à toute application nécessitant une mémoire volatile haute vitesse avec une longue durée de vie.
Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?
En tant que distributeur agréé Renesas, nous fournissons des composants authentiques avec une traçabilité complète, un support technique exhaustif et des ressources d'intégration pour garantir la réussite de votre projet. Chaque unité est livrée avec la garantie du fabricant et la documentation de conformité.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
IDT71V416VS12BE8.pdf