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15+ Dhs. 16.30 Dhs. 244.50
25+ Dhs. 15.95 Dhs. 398.75
50+ Dhs. 15.06 Dhs. 753.00
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IDT71V416VS12BEI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IDT71V416VS12BEI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire de 4 Mbits à haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et aérospatiaux.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
  • Boîtier compact pour montage en surface : son format 48-CABGA (9 x 9 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Interface parallèle : intégration simple et directe avec les microcontrôleurs et processeurs standard
  • Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux, le matériel de réseau et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une durée de vie prolongée.

Pourquoi choisir Renesas IDT71V416VS12BEI8 ?

Renesas Electronics est un leader reconnu dans le domaine des solutions semi-conducteurs, offrant une disponibilité produit à long terme, un support technique complet et une qualité éprouvée. Le circuit intégré IDT71V416VS12BEI8 allie vitesse, fiabilité et performances industrielles dans un format compact, ce qui en fait le choix idéal pour les ingénieurs les plus exigeants.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour connaître la disponibilité, les prix et obtenir une assistance technique.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-CABGA (9x9)