Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS12PH

Renesas IDT71V416VS12PH - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit

L' IDT71V416VS12PH est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbits fabriquée par Renesas Electronics Corporation. Elle est conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 12 ns et une organisation de 256 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et embarqués.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns - Idéal pour les applications critiques en termes de temps et la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse
• Capacité de 4 Mbit (256 Ko x 16) – Densité de mémoire optimale pour les contrôleurs embarqués et les systèmes de communication
• Fonctionnement à basse tension (3 V - 3,6 V) : réduit la consommation d’énergie dans les appareils alimentés par batterie et les conceptions à faible consommation énergétique.
• Interface parallèle asynchrone - Intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs
• Boîtier CMS 44-TSOP II - Format compact pour circuits imprimés réduits
• Plage de températures industrielles (0 °C à 70 °C) - Performances fiables dans des environnements d'exploitation exigeants

Applications

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, à l'automatisation industrielle, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux, aux instruments de test et de mesure, ainsi qu'aux conceptions basées sur FPGA nécessitant une mémoire locale rapide.

Distributeur agréé - Traçabilité complète

Nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une documentation complète du fabricant, des garanties d'authenticité et une traçabilité complète de la chaîne d'approvisionnement afin de soutenir vos programmes de cycle de vie long et d'atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes

• IDT71V416VS12PH.pdf