Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS12PH8

IDT71V416VS12PH8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

L' IDT71V416VS12PH8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 12 ns et une interface parallèle, ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide de 12 ns - Permet une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
• Capacité de 4 Mbit (256 K x 16) - Organisation optimale de la mémoire pour les architectures de bus de données 16 bits
• Fonctionnement à basse tension (3 V - 3,6 V) : réduit la consommation d’énergie tout en maintenant les performances.
• Large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 70 °C) - Fonctionnement fiable en milieu commercial
• Boîtier CMS 44-TSOP II - Conception compacte pour les circuits imprimés haute densité
• Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et processeurs standard

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, à l'automatisation industrielle, aux infrastructures de télécommunications, aux dispositifs médicaux et à l'électronique grand public nécessitant une mémoire tampon rapide, un stockage cache ou des capacités d'enregistrement de données.

Spécifications techniques complètes

Qualité et traçabilité

Tous les composants proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés d'une documentation de traçabilité complète. Ils sont conformes aux normes RoHS et REACH. Un support technique à long terme garantit leur disponibilité pour les applications critiques.

• IDT71V416VS12PH8.pdf