Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS12PHG

Renesas IDT71V416VS12PHG - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit

L' IDT71V416VS12PHG est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbits fabriquée par Renesas Electronics Corporation. Elle est conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 12 ns et une organisation de 256 Ko x 16, cette SRAM offre une vitesse exceptionnelle pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns – Idéal pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
• Capacité de 4 Mbit (256 K x 16) - Densité de mémoire optimale pour la mise en mémoire tampon et la mise en cache
• Fonctionnement de 3 V à 3,6 V - Conception basse consommation pour des systèmes économes en énergie
• Boîtier CMS 44-TSOP II - Format compact pour circuits imprimés réduits
• Interface parallèle asynchrone - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Plage de fonctionnement de 0 °C à 70 °C - Performances fiables dans les environnements à température commerciale

Applications

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée à la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, à la mémoire cache, aux équipements de réseau, à l'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux et aux mises à niveau des systèmes existants nécessitant des solutions de mémoire alternative non volatile rapides.

Garantie du distributeur agréé

Nous ne fournissons que des stocks provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support à long terme afin de protéger votre investissement et d'assurer l'authenticité des produits.

Spécifications techniques

• IDT71V416VS12PHG.pdf