Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS12PHG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.43 | Dhs. 15.43 |
| 15+ | Dhs. 14.96 | Dhs. 224.40 |
| 25+ | Dhs. 14.63 | Dhs. 365.75 |
| 50+ | Dhs. 13.82 | Dhs. 691.00 |
| 100+ | Dhs. 12.20 | Dhs. 1,220.00 |
| N+ | Dhs. 2.44 | Price Inquiry |
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Renesas IDT71V416VS12PHG8 - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit
La mémoire SRAM IDT71V416VS12PHG8 de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 4 mégabits conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 12 nanosecondes et une organisation de 256 Ko x 16, cette SRAM asynchrone offre la vitesse et la densité requises pour les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les matériels de réseau et l'électronique automobile.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide de 12 ns - Permet une récupération de données à haute vitesse pour les applications critiques en termes de temps.
- Densité de 4 Mbit (256 K x 16) - Organisation mémoire optimale pour les architectures de processeurs 16 bits
- Fonctionnement à basse tension (3 V-3,6 V) - Réduit la consommation d'énergie dans les appareils alimentés par batterie et les conceptions à faible consommation énergétique
- Interface parallèle asynchrone - Simplifie l'intégration avec les microcontrôleurs anciens et modernes
- Boîtier CMS 44-TSOP II - Format standard pour l'assemblage automatisé
- Plage de températures commerciales (0 °C à 70 °C) - Convient aux environnements de fonctionnement standard
- Qualité et fiabilité Renesas – Soutenues par un fabricant de semi-conducteurs de confiance offrant un support à long terme.
Applications typiques
Cette mémoire SRAM est idéale pour la mémoire tampon, le stockage cache, l'enregistrement de données, le stockage de firmware et les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse dans les secteurs industriel, médical, automobile et des télécommunications.
Spécifications techniques complètes
Tous nos produits proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés d'une documentation complète de traçabilité. Ils sont conformes aux normes RoHS et REACH. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos délais de livraison et obtenir une assistance technique.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
IDT71V416VS12PHG8.pdf