Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS12PHGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.15 | Dhs. 16.15 |
| 15+ | Dhs. 15.65 | Dhs. 234.75 |
| 25+ | Dhs. 15.31 | Dhs. 382.75 |
| 50+ | Dhs. 14.46 | Dhs. 723.00 |
| 100+ | Dhs. 12.76 | Dhs. 1,276.00 |
| N+ | Dhs. 2.55 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS12PHGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IDT71V416VS12PHGI8 de Renesas Electronics est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 12 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : cycle d'accès et d'écriture de 12 ns pour des opérations de données à haute vitesse.
- Organisation flexible : architecture mémoire 256 Ko x 16 optimisée pour les systèmes 16 bits
- Large plage de fonctionnement : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V, qualité de température industrielle
- Conditionnement fiable : Boîtier CMS 44-TSOP II adapté à l’assemblage automatisé
- Assistance tout au long du cycle de vie : assurée par un réseau de distribution agréé avec traçabilité complète.
Spécifications techniques
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels et les applications critiques nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, un fonctionnement à température étendue et une disponibilité à long terme.
Qualité et assistance
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une traçabilité complète du fabricant, un support technique et une gestion du cycle de vie pour garantir le succès de votre intégration et la continuité de votre approvisionnement à long terme.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
IDT71V416VS12PHGI8.pdf