Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS12PHI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.15 | Dhs. 16.15 |
| 15+ | Dhs. 15.65 | Dhs. 234.75 |
| 25+ | Dhs. 15.31 | Dhs. 382.75 |
| 50+ | Dhs. 14.46 | Dhs. 723.00 |
| 100+ | Dhs. 12.76 | Dhs. 1,276.00 |
| N+ | Dhs. 2.55 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS12PHI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire IDT71V416VS12PHI8 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une large plage de températures de fonctionnement, ce circuit intégré mémoire offre des performances constantes dans les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Capacité de mémoire généreuse : l’organisation de 4 Mbits (256 Ko x 16) offre un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués.
- Fiabilité de qualité industrielle : plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
- Interface parallèle : Intégration simple aux architectures système existantes
- Conception pour montage en surface : le boîtier 44-TSOP II permet des agencements de circuits imprimés compacts.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux infrastructures de télécommunications où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle.
Spécifications techniques complètes
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En tant que distributeur agréé, nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants Renesas, une traçabilité complète, un support technique exhaustif et une livraison internationale. Nos services à valeur ajoutée comprennent l'intégration de ressources, la gestion du cycle de vie et un accompagnement personnalisé pour vos besoins d'approvisionnement en semi-conducteurs.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
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