Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS15BEGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.82 | Dhs. 16.82 |
| 15+ | Dhs. 16.30 | Dhs. 244.50 |
| 25+ | Dhs. 15.95 | Dhs. 398.75 |
| 50+ | Dhs. 15.06 | Dhs. 753.00 |
| 100+ | Dhs. 13.29 | Dhs. 1,329.00 |
| N+ | Dhs. 2.66 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS15BEGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IDT71V416VS15BEGI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 15 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : architecture mémoire 256 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V avec une plage de température industrielle (-40 °C à 85 °C)
- Montage en surface compact : Boîtier 48-CABGA (9 x 9 mm) peu encombrant, idéal pour les conceptions haute densité.
- Interface asynchrone : une interface parallèle simple élimine la complexité de la synchronisation d’horloge
- Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement de Renesas en faveur d’une disponibilité produit étendue
Applications typiques
Cette mémoire SRAM est idéale pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et les systèmes aérospatiaux où l'intégrité des données et les performances sont essentielles.
Spécifications techniques complètes
Qualité et traçabilité
En tant que distributeur agréé, nous assurons la traçabilité complète de ce composant, les certifications de qualité et un support tout au long de son cycle de vie. Tous nos produits proviennent directement de Renesas Electronics Corporation et sont accompagnés d'une documentation complète attestant de leur chaîne de traçabilité.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
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