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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 15.43 Dhs. 15.43
15+ Dhs. 14.96 Dhs. 224.40
25+ Dhs. 14.63 Dhs. 365.75
50+ Dhs. 13.82 Dhs. 691.00
100+ Dhs. 12.20 Dhs. 1,220.00
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Renesas IDT71V416VS15PH8 - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit

La mémoire SRAM IDT71V416VS15PH8 de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 4 mégabits conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec interface parallèle. Cette SRAM asynchrone offre un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et fonctionne sous une tension d'alimentation basse de 3 V à 3,6 V, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les équipements réseau, les infrastructures de télécommunications et les applications de contrôle industriel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 15 ns pour les applications temps réel exigeantes
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 assure un stockage et une récupération efficaces des données.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie.
  • Interface asynchrone fiable : l’interface parallèle simplifie l’intégration sans gestion d’horloge.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Boîtier compact : Boîtier de montage en surface TSOP II à 44 broches (largeur de 10,16 mm)
  • Assistance tout au long du cycle de vie : Bénéficiez de l’engagement de Renesas en matière de longévité et de traçabilité des produits.

Applications typiques

  • Routeurs et commutateurs réseau (mémoire tampon, traitement des paquets)
  • Équipements de télécommunications (stations de base, systèmes PBX)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Dispositifs médicaux nécessitant un accès rapide aux données
  • Électronique automobile (infodivertissement, ADAS)
  • Plateformes informatiques embarquées
  • Instrumentation de test et de mesure

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir cette SRAM ?

Le contrôleur IDT71V416VS15PH8 allie fiabilité éprouvée et performances à haute vitesse, ce qui en fait le choix privilégié des ingénieurs concevant des systèmes critiques. La réputation de Renesas Electronics en matière de fabrication de qualité et de support complet tout au long du cycle de vie garantit la pérennité de votre conception. Chaque unité est livrée avec une documentation de traçabilité complète et est conforme aux normes environnementales RoHS/REACH.

Prêt à l'intégrer à votre prochain projet ? Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, notre assistance technique ou nos configurations personnalisées de conditionnement en bande et bobine.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II