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15+ Dhs. 14.96 Dhs. 224.40
25+ Dhs. 14.63 Dhs. 365.75
50+ Dhs. 13.82 Dhs. 691.00
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IDT71V416VS15PHG8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IDT71V416VS15PHG8 de Renesas Electronics Corporation est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications, du médical et de l'électronique grand public. Avec un temps d'accès rapide de 15 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM à interface parallèle offre des performances fiables pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une longue durée de vie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide de 15 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel
  • Capacité de 4 Mbit (256 Ko x 16) - Densité de mémoire optimale pour les systèmes embarqués
  • Fonctionnement à basse tension (3 V - 3,6 V) - Conception écoénergétique réduisant la consommation d'énergie
  • Large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 70 °C) - Performances fiables dans tous les environnements commerciaux
  • Boîtier CMS 44-TSOP II - Conception compacte pour circuits imprimés compacts
  • Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et processeurs standard
  • Fonctionnement asynchrone – Aucun signal d'horloge requis, simplifiant la conception du système

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux équipementiers et aux fournisseurs de services de fabrication électronique (EMS) dans les domaines des systèmes aérospatiaux, de l'électronique automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications, des dispositifs médicaux et de l'électronique grand public à haute fiabilité, où l'intégrité des données, la traçabilité et la disponibilité sur une longue durée de vie sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Qualité et conformité : Conforme aux normes RoHS/REACH. Traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie. Adapté à l’expédition internationale vers les marchés mondiaux.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II