Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS15PHG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.43 | Dhs. 15.43 |
| 15+ | Dhs. 14.96 | Dhs. 224.40 |
| 25+ | Dhs. 14.63 | Dhs. 365.75 |
| 50+ | Dhs. 13.82 | Dhs. 691.00 |
| 100+ | Dhs. 12.20 | Dhs. 1,220.00 |
| N+ | Dhs. 2.44 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS15PHG8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IDT71V416VS15PHG8 de Renesas Electronics Corporation est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications, du médical et de l'électronique grand public. Avec un temps d'accès rapide de 15 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM à interface parallèle offre des performances fiables pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une longue durée de vie.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide de 15 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel
- Capacité de 4 Mbit (256 Ko x 16) - Densité de mémoire optimale pour les systèmes embarqués
- Fonctionnement à basse tension (3 V - 3,6 V) - Conception écoénergétique réduisant la consommation d'énergie
- Large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 70 °C) - Performances fiables dans tous les environnements commerciaux
- Boîtier CMS 44-TSOP II - Conception compacte pour circuits imprimés compacts
- Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et processeurs standard
- Fonctionnement asynchrone – Aucun signal d'horloge requis, simplifiant la conception du système
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux équipementiers et aux fournisseurs de services de fabrication électronique (EMS) dans les domaines des systèmes aérospatiaux, de l'électronique automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications, des dispositifs médicaux et de l'électronique grand public à haute fiabilité, où l'intégrité des données, la traçabilité et la disponibilité sur une longue durée de vie sont essentielles.
Spécifications techniques complètes
Qualité et conformité : Conforme aux normes RoHS/REACH. Traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie. Adapté à l’expédition internationale vers les marchés mondiaux.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |

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