Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS15PHGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.15 | Dhs. 16.15 |
| 15+ | Dhs. 15.65 | Dhs. 234.75 |
| 25+ | Dhs. 15.31 | Dhs. 382.75 |
| 50+ | Dhs. 14.46 | Dhs. 723.00 |
| 100+ | Dhs. 12.76 | Dhs. 1,276.00 |
| N+ | Dhs. 2.55 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS15PHGI8 - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit
Le circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone IDT71V416VS15PHGI8 de Renesas Electronics est une mémoire haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec interface parallèle. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 15 ns pour des opérations de données rapides.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 optimise le débit de données
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
- Fonctionnement à basse tension : alimentation de 3 V à 3,6 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Montage en surface fiable : boîtier TSOP II à 44 broches pour assemblage automatisé
- Interface parallèle : Interface parallèle standard pour une intégration facile
Applications
Idéal pour les équipements de réseau, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les systèmes aérospatiaux, l'infrastructure des télécommunications, les systèmes d'acquisition de données et les applications de mise en mémoire tampon à haute vitesse nécessitant un support et une traçabilité à long terme.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir cette SRAM ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et un engagement sur le long terme. Cette SRAM haute fiabilité est accompagnée d'une documentation complète et de ressources d'intégration pour accélérer votre cycle de développement.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
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