Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS15PHI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.15 | Dhs. 16.15 |
| 15+ | Dhs. 15.65 | Dhs. 234.75 |
| 25+ | Dhs. 15.31 | Dhs. 382.75 |
| 50+ | Dhs. 14.46 | Dhs. 723.00 |
| 100+ | Dhs. 12.76 | Dhs. 1,276.00 |
| N+ | Dhs. 2.55 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS15PHI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
L' IDT71V416VS15PHI8 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute vitesse et basse consommation conçue pour les applications embarquées exigeantes dans les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, de télécommunications et médicaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 offre une gestion flexible des données
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Conditionnement fiable : Boîtier CMS 44-TSOP II pour assemblage automatisé
- Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs et processeurs standard
Applications idéales
Idéal pour les systèmes à haute fiabilité nécessitant une mise en mémoire tampon rapide et non volatile des données, notamment les routeurs réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les calculateurs automobiles et l'instrumentation aérospatiale.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir ce composant ?
En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un support technique tout au long du cycle de vie et des ressources d'intégration technique. Ce composant bénéficie de la réputation de qualité et de fiabilité de Renesas pour les applications critiques.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
IDT71V416VS15PHI8.pdf