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15+ Dhs. 16.40 Dhs. 246.00
25+ Dhs. 16.05 Dhs. 401.25
50+ Dhs. 15.16 Dhs. 758.00
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IDT71V416VS15Y - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

L' IDT71V416VS15Y de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone de 4 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeantes. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles pour les systèmes à forte intensité de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible : la configuration 256 Ko x 16 optimise la bande passante mémoire
  • Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour des performances fiables
  • Interface parallèle : une interface parallèle standard simplifie l’intégration
  • Boîtier pour montage en surface : boîtier 44-BSOJ (largeur de 10,16 mm) pour les circuits imprimés compacts

Applications idéales

Idéal pour les équipements de réseau, les systèmes de télécommunications, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les applications de mise en mémoire tampon de données à haut débit nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.

Spécifications techniques complètes

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Renesas authentiques avec traçabilité complète, assistance technique et livraison internationale. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos délais de livraison et notre assistance à l'intégration.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ