Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS15Y8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.37 | Dhs. 16.37 |
| 15+ | Dhs. 15.85 | Dhs. 237.75 |
| 25+ | Dhs. 15.51 | Dhs. 387.75 |
| 50+ | Dhs. 14.65 | Dhs. 732.50 |
| 100+ | Dhs. 12.92 | Dhs. 1,292.00 |
| N+ | Dhs. 2.58 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS15Y8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM (IDT71V416VS15Y8 ) de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) haute vitesse de 4 Mbits conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès impressionnant de 15 ns et à son interface parallèle asynchrone, ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les télécommunications, les commandes industrielles et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : architecture mémoire 256 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
- Boîtier CMS : boîtier 44-BSOJ/SOJ pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Interface asynchrone : une interface parallèle simple élimine les complexités liées à la synchronisation d’horloge.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, routeurs, commutateurs, systèmes d'automatisation industrielle, dispositifs médicaux, électronique automobile et à toute application nécessitant une mémoire tampon de données ou une mémoire cache à haute vitesse.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir Renesas SRAM ?
Renesas Electronics est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, fort de plusieurs décennies d'expertise dans les technologies de mémoire. Le circuit intégré IDT71V416VS15Y8 offre une fiabilité éprouvée, une qualité constante et une disponibilité produit à long terme — des facteurs essentiels pour les conceptions nécessitant un support technique étendu.
Disponible en emballage bande et bobine pour la fabrication en grande série et l'assemblage automatisé de type pick-and-place.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
IDT71V416VS15Y8.pdf