Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS15YG
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.81 | Dhs. 12.81 |
| 15+ | Dhs. 12.41 | Dhs. 186.15 |
| 25+ | Dhs. 12.14 | Dhs. 303.50 |
| 50+ | Dhs. 11.47 | Dhs. 573.50 |
| 100+ | Dhs. 10.12 | Dhs. 1,012.00 |
| N+ | Dhs. 2.02 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS15YG - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
L' IDT71V416VS15YG de Renesas Electronics Corporation est un circuit intégré SRAM (mémoire vive statique) asynchrone de 4 Mbits haut de gamme, conçu pour les applications critiques exigeant des temps d'accès ultrarapides et une fiabilité exceptionnelle. Avec une organisation mémoire de 256 Ko x 16 et un temps d'accès fulgurant de 15 ns, ce composant semi-conducteur haute fiabilité offre les performances et la fiabilité requises pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des équipements médicaux et des télécommunications.
Conçu pour les applications B2B où l'intégrité et la vitesse des données sont primordiales, l'IDT71V416VS15YG fonctionne sur une large plage de tension (3 V à 3,6 V) et dispose d'un boîtier de montage en surface (44-BSOJ) pour une intégration simplifiée dans vos conceptions électroniques de nouvelle génération.
Spécifications techniques complètes
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide de 15 ns : permet une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps et les systèmes de traitement en temps réel.
- Capacité de 4 Mbit (256 Ko x 16) : densité de mémoire optimale pour les systèmes embarqués, la mémoire cache et les applications de mise en mémoire tampon.
- Fonctionnement asynchrone : simplifie la conception du système grâce à l’absence d’exigences de synchronisation d’horloge
- Large plage de tension (3 V - 3,6 V) : Compatible avec les systèmes numériques modernes basse consommation et les architectures 3,3 V existantes
- Plage de températures industrielles (0 °C à 70 °C) : Performances fiables dans des conditions environnementales exigeantes
- Boîtier CMS 44-SOJ : conception compacte pour les circuits imprimés haute densité
- Interface parallèle : transfert de données à haut débit pour les applications critiques en termes de performances
- Qualité Renesas : Fabriqué par un leader mondial de l’innovation dans le domaine des semi-conducteurs, selon des normes de qualité rigoureuses.
Applications cibles
- Aérospatiale et défense : Systèmes avioniques, calculateurs de commandes de vol, traitement radar et stockage de données critiques pour la mission
- Électronique automobile : systèmes avancés d’aide à la conduite (ADAS), calculateurs de gestion moteur (ECU), systèmes d’infodivertissement
- Automatisation industrielle : automates programmables (PLC), robotique, systèmes de contrôle de processus et automatisation d’usine
- Équipements médicaux : imagerie diagnostique, systèmes de surveillance des patients, instrumentation de laboratoire
- Télécommunications : Routeurs de réseau, commutateurs, stations de base et infrastructure de communication
- Systèmes embarqués : mémoire cache, mémoire tampon, tables de consultation et traitement de données à haute vitesse
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- Assurance qualité : Protocoles d'inspection et de test rigoureux pour garantir l'intégrité des composants
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |

IDT71V416VS15YG.pdf