ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLE-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.33 | Dhs. 6.33 |
| 15+ | Dhs. 6.14 | Dhs. 92.10 |
| 25+ | Dhs. 6.00 | Dhs. 150.00 |
| 50+ | Dhs. 5.67 | Dhs. 283.50 |
| 100+ | Dhs. 5.00 | Dhs. 500.00 |
| N+ | Dhs. 1.00 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 800 µs |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (8x6) |
| RoHS |
IS25LP128F-JLLE-TR - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 128 Mbit
Le circuit intégré IS25LP128F-JLLE-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil et fiable. Ce composant semi-conducteur authentique intègre une interface SPI quadruple avancée, offrant des débits de transfert de données rapides jusqu'à 133 MHz pour les applications industrielles, automobiles et IoT les plus exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de mémoire de 128 Mbit (16 Mo x 8) pour une conservation étendue des données
- Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour une communication flexible et à haut débit
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 105 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Performances d'écriture rapides : cycle d'écriture de 800 µs pour une programmation efficace
- Boîtier compact : le format CMS 8-WSON (8 x 6 mm) permet un gain de place sur la carte.
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Spécifications techniques
Applications
Le circuit intégré IS25LP128F-JLLE-TR est idéal pour une large gamme d'applications embarquées, notamment :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Équipements et instruments médicaux
- Électronique grand public et objets connectés
- Infrastructure réseau et télécommunications
Pourquoi choisir HQICKEY ?
Distributeur agréé de composants semi-conducteurs authentiques, HQICKEY garantit des produits ISSI 100 % originaux, avec une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Chaque composant IS25LP128F-JLLE-TR provient directement de fabricants certifiés, assurant ainsi fiabilité et performance pour vos applications critiques.
Conditionnement en bande et bobine : Ce produit est fourni au format bande et bobine, idéal pour l’assemblage automatisé de prélèvement et de placement dans les environnements de fabrication à grand volume.
Produits associés
Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant des solutions Flash, DRAM et SRAM pour vos systèmes embarqués. Consultez HQICKEY pour accéder à notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques, assortis d'un engagement sur tout leur cycle de vie. Restez informé des dernières tendances et ressources techniques sur notre blog d'actualités .
Commandez dès aujourd'hui des circuits intégrés de mémoire Flash NOR IS25LP128F-JLLE-TR authentiques en toute confiance, grâce à leur qualité, leur authenticité et leur disponibilité à long terme.

IS25LP128F-JLLE-TR.pdf