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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 800 µs
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS25LP256D-RHLE-TR : Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 256 Mbits

La mémoire flash NOR IS25LP256D-RHLE-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution haut de gamme de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant semi-conducteur haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à son interface d'E/S quadruple SPI avancée et à sa plage de températures de fonctionnement étendue.

Principales caractéristiques et avantages

  • Grande capacité de stockage : l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et les exigences des systèmes embarqués.
  • Interface haut débit : la prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 133 MHz garantit un accès et un transfert de données rapides.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
  • Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,3 V ~ 3,6 V) s'adapte à différentes configurations de systèmes.
  • Encombrement réduit : Boîtier CMS 24-TFBGA (6x8) compact, idéal pour les applications à espace restreint.
  • Performances d'écriture rapides : un cycle d'écriture de 800 µs permet des opérations de programmation efficaces.
  • Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Le IS25LP256D-RHLE-TR est idéal pour :

  • Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Enregistrement des données et stockage de la configuration des dispositifs médicaux
  • équipement d'infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs IoT et capteurs intelligents
  • applications aérospatiales et de défense

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader mondialement reconnu dans le domaine des solutions de mémoire semi-conductrice haute performance. Forte de plusieurs décennies d'expertise dans les technologies de mémoire DRAM et Flash, ISSI fournit des composants répondant aux exigences rigoureuses de fiabilité et de performance des applications critiques dans de nombreux secteurs d'activité.

Informations sur l'emballage et la commande

Ce produit est conditionné en bande et bobine (TR) , ce qui le rend idéal pour les processus d'assemblage automatisés et la production en grande série. Le boîtier compact 24-TFBGA garantit un encombrement minimal sur le circuit imprimé tout en conservant d'excellentes performances thermiques et électriques.

Qualité et fiabilité

Fabriquée selon les normes de qualité les plus strictes, la mémoire IS25LP256D-RHLE-TR est soumise à des tests rigoureux afin de garantir des performances constantes sur toute sa plage de températures de fonctionnement. Son architecture Flash NOR offre une rétention des données et une endurance supérieures aux autres technologies de mémoire.

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