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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 50 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 4,8 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x5)

IS25WJ128F-JKLE-TR - Mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit

La mémoire flash NOR IS25WJ128F-JKLE-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution haut de gamme de 128 Mbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Cette mémoire flash série haute fiabilité est dotée d'une interface d'E/S SPI Quad avancée avec prise en charge QPI et DTR, offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 4,8 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits organisée en 16 Mbits x 8, idéale pour le stockage de code, l’enregistrement de données et les applications de micrologiciel.
  • Interface avancée : l’interface SPI Quad E/S avec modes QPI et DTR permet un transfert de données à haut débit et un nombre de broches réduit.
  • Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise la consommation d’énergie pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 105 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
  • Programmation rapide : des cycles d’écriture de mots de 50 µs et de pages de 2,4 ms accélèrent le développement et la production.
  • Encombrement réduit : le boîtier 8-WSON (6 x 5 mm) avec pastille exposée offre d'excellentes performances thermiques dans les espaces restreints.
  • Prêt pour la production : l’emballage en bande et bobine simplifie les processus d’assemblage automatisés

Applications typiques

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux appareils IoT, aux équipements médicaux, aux infrastructures de télécommunications, à l'électronique grand public et aux systèmes embarqués nécessitant un stockage fiable de code et de données non volatils avec des capacités d'accès aléatoire rapides.

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Spécifications techniques

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