ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JKLE-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.26 | Dhs. 6.26 |
| 15+ | Dhs. 6.06 | Dhs. 90.90 |
| 25+ | Dhs. 5.93 | Dhs. 148.25 |
| 50+ | Dhs. 5.60 | Dhs. 280.00 |
| 100+ | Dhs. 4.94 | Dhs. 494.00 |
| N+ | Dhs. 0.99 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 800 µs |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x5) |
| RoHS |  |
IS25WP128F-JKLE-TR - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit
La mémoire flash NOR SPI IS25WP128F-JKLE-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un dispositif de mémoire haute performance de 128 mégabits conçu pour les applications industrielles, automobiles et systèmes embarqués exigeantes. Ce composant semi-conducteur authentique offre une fiabilité exceptionnelle et une plage de températures de fonctionnement étendue, de -40 °C à 105 °C, ce qui le rend idéal pour les environnements difficiles.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de mémoire de 128 Mbits (16 M x 8) pour les applications gourmandes en données.
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR pour un transfert de données rapide
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TA)
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,65 V à 1,95 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 5 mm) compact avec pastille exposée
- Prêt pour la production : Fourni en emballage bande et bobine pour assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR est parfaitement adapté aux appareils IoT, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements médicaux, aux infrastructures de télécommunications et à tout système embarqué nécessitant un stockage de programme non volatil et à haute vitesse avec une fiabilité à long terme.
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Spécifications techniques
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