ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512MG-RHLE-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.81 | Dhs. 15.81 |
| 15+ | Dhs. 15.30 | Dhs. 229.50 |
| 25+ | Dhs. 14.97 | Dhs. 374.25 |
| 50+ | Dhs. 14.14 | Dhs. 707.00 |
| 100+ | Dhs. 12.47 | Dhs. 1,247.00 |
| N+ | Dhs. 2.49 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 2 ms |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
Mémoire Flash NOR Quad SPI ISSI IS25WP512MG-RHLE-TR de 512 Mbits
L' IS25WP512MG-RHLE-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un dispositif de mémoire Flash NOR haute performance de 512 Mbit conçu pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un stockage fiable et non volatil avec un accès en lecture rapide et des options d'interface flexibles.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits organisée en 64 Mbits x 8, idéale pour le stockage de code, l’enregistrement de données et les applications de micrologiciel.
- Interface flexible haut débit : les modes SPI, Quad I/O, QPI et DTR prennent en charge une fréquence d’horloge jusqu’à 133 MHz pour un débit de données rapide.
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 5,5 ns permet une exécution rapide du code et des performances système réactives.
- Fonctionnement à basse tension : la plage d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et fonctionnant sur batterie.
- Plage de température étendue : la qualification de -40 °C à 105 °C (TA) garantit un fonctionnement fiable dans les applications automobiles, industrielles et en environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier TFBGA à 24 billes (6 x 8 mm) pour montage en surface minimise l’espace disponible sur le circuit imprimé.
- Prêt pour la production : Fourni en bande et bobine pour l'assemblage automatisé et la fabrication en grande série
Applications typiques
Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs périphériques IoT, à l'instrumentation médicale, aux équipements de télécommunications et à tout système embarqué nécessitant une prise en charge à long terme, la duplication de code ou la capacité d'exécution sur place (XIP).
Spécifications techniques complètes
Pour des informations détaillées sur les caractéristiques électriques, les diagrammes de synchronisation et les notes d'application, veuillez vous référer à la fiche technique officielle de l'ISSI .
IS25WP512MG-RHLE-TR.pdf