ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G081-TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.22 | Dhs. 9.22 |
| 15+ | Dhs. 8.92 | Dhs. 133.80 |
| 25+ | Dhs. 8.73 | Dhs. 218.25 |
| 50+ | Dhs. 8.25 | Dhs. 412.50 |
| 100+ | Dhs. 7.28 | Dhs. 728.00 |
| N+ | Dhs. 1.46 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | 25 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TSOP I |
| RoHS |  |
IS34ML01G081-TLI-TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit
Le circuit intégré IS34ML01G081-TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire Flash NAND 1 Gbit haute performance conçue pour les applications embarquées critiques. Cette solution de mémoire non volatile offre une fiabilité exceptionnelle et des temps d'accès rapides, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 1 Gbit : l’organisation en 128 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel embarqué, l’enregistrement des données et les configurations système.
- Temps d'accès rapide de 25 ns : garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les applications sensibles au temps.
- Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C. Performances de qualité industrielle pour les environnements difficiles.
- Interface parallèle : intégration simplifiée avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Boîtier CMS : le boîtier 48-TFSOP permet des implantations de circuits imprimés haute densité.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est conçu pour des applications exigeantes, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- calculateurs automobiles et systèmes d'infodivertissement
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
- Infrastructure de télécommunications
- Stockage du firmware embarqué et code de démarrage
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