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25+ Dhs. 8.73 Dhs. 218.25
50+ Dhs. 8.25 Dhs. 412.50
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 25 ns
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS34ML01G084-TLI-TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit haute fiabilité

La puce IS34ML01G084-TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire Flash NAND 1 Gbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant une fiabilité exceptionnelle et une disponibilité à long terme. Cette solution de mémoire non volatile offre un temps d'accès rapide de 25 ns et une plage de températures de fonctionnement robuste de -40 °C à 85 °C, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel, médicales et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 1 Gbit : l’organisation en 128 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, l’enregistrement des données et les paramètres de configuration.
  • Performances haute vitesse : un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 25 ns garantissent une récupération et une programmation rapides des données.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
  • Boîtier CMS : 48-TFSOP (largeur 18,40 mm) / 48-TSOP I pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est parfaitement adapté pour :

  • Stockage de micrologiciels embarqués dans les contrôleurs industriels et les systèmes d'automatisation
  • Systèmes d'acquisition de données et enregistreurs de données de boîte noire dans les secteurs de l'aérospatiale et de l'automobile
  • Configuration des dispositifs médicaux et stockage des données des patients
  • Infrastructure de télécommunications et équipements de réseau
  • Systèmes militaires et de défense nécessitant un fonctionnement à température prolongée

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