ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G084-BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.00 | Dhs. 10.00 |
| 15+ | Dhs. 9.69 | Dhs. 145.35 |
| 25+ | Dhs. 9.48 | Dhs. 237.00 |
| 50+ | Dhs. 8.95 | Dhs. 447.50 |
| 100+ | Dhs. 7.90 | Dhs. 790.00 |
| N+ | Dhs. 1.58 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 30 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |  |
IS34MW01G084-BLI-TR - Mémoire flash NAND SLC 1 Gbit haute fiabilité
La mémoire flash NAND SLC 1 Gbit IS34MW01G084-BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un dispositif haut de gamme conçu pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Grâce à son organisation 128 Mbits x 8 et son interface parallèle, cette solution mémoire de qualité industrielle offre un temps d'accès constant de 30 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de stockage de 1 Gbit : mémoire non volatile suffisante pour les systèmes embarqués, l’enregistrement de données et le stockage du firmware.
- Technologie NAND SLC : endurance supérieure, vitesses d’écriture plus rapides et fiabilité accrue par rapport aux alternatives MLC
- Interface parallèle : transfert de données à haut débit avec un temps d’accès de 30 ns et un cycle d’écriture de 45 ns.
- Plage de températures industrielles : Performances éprouvées de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier compact 63-VFBGA : conception à montage en surface de 9 x 11 mm peu encombrante pour les circuits imprimés haute densité
- Fonctionnement basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour les applications sensibles à la puissance
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire flash haute fiabilité est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et aux systèmes embarqués nécessitant une conservation des données à long terme et une durabilité exceptionnelle.
Spécifications techniques
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