ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS37SMW01G8B-JHLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.69 | Dhs. 8.69 |
| 15+ | Dhs. 8.41 | Dhs. 126.15 |
| 25+ | Dhs. 8.23 | Dhs. 205.75 |
| 50+ | Dhs. 7.77 | Dhs. 388.50 |
| 100+ | Dhs. 6.86 | Dhs. 686.00 |
| N+ | Dhs. 1.37 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 800 µs |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS37SMW01G8B-JHLI-TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit
Le circuit intégré IS37SMW01G8B-JHLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit hautes performances conçue pour les systèmes embarqués critiques. Cette solution de mémoire non volatile offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l'organisation de la mémoire de 1 Gbit (128 Mo x 8) offre une capacité de stockage suffisante pour les applications embarquées.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 104 MHz avec un temps d'accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface SPI : L’interface périphérique série standard simplifie l’intégration et réduit le nombre de broches.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie.
- Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est parfaitement adapté à l'enregistrement de données, au stockage de firmware, aux données de configuration, au stockage de code de démarrage et aux applications de systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile fiable avec des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie.
Spécifications techniques
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