ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS37SMW01G8B-JJLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.47 | Dhs. 8.47 |
| 15+ | Dhs. 8.21 | Dhs. 123.15 |
| 25+ | Dhs. 8.03 | Dhs. 200.75 |
| 50+ | Dhs. 7.58 | Dhs. 379.00 |
| 100+ | Dhs. 6.69 | Dhs. 669.00 |
| N+ | Dhs. 1.34 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 800 µs |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (8x6) |
| RoHS |  |
IS37SMW01G8B-JJLI-TR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance
La mémoire flash NAND SPI IS37SMW01G8B-JJLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un composant haut de gamme de 1 Gbit, conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Grâce à sa technologie NAND SLC (Single-Level Cell), elle offre une fiabilité exceptionnelle, une endurance accrue et une excellente rétention des données, même à des températures de fonctionnement extrêmes.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit organisée en 128 Mo x 8, offrant un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et le stockage du code.
- Interface SPI rapide : la fréquence d’horloge de 104 MHz permet un transfert de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit la consommation d’énergie dans les conceptions alimentées par batterie et à faible consommation énergétique.
- Boîtier compact 8-WSON : format compact de 8 x 6 mm avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées.
- Technologie NAND SLC : endurance et intégrité des données supérieures aux alternatives MLC/TLC
Applications cibles
Cette mémoire flash NAND est optimisée pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Plateformes d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
- Équipements médicaux et instruments de diagnostic
- Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense
- Infrastructure réseau et télécommunications
Spécifications techniques
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI est un leader mondial reconnu dans le domaine des semi-conducteurs de mémoire haute performance, offrant une fiabilité éprouvée pour les applications critiques. La mémoire IS37SMW01G8B-JJLI-TR associe une technologie NAND SLC de pointe à une conception robuste pour garantir l'intégrité des données à long terme, même dans les conditions d'utilisation les plus exigeantes. Avec un temps d'accès rapide de 7 ns et des cycles d'écriture de page efficaces de 800 µs, ce dispositif de mémoire accélère les performances du système tout en conservant une efficacité énergétique exceptionnelle.
Qualité et conformité
Ce produit est conforme à la directive RoHS et fabriqué selon les normes de qualité les plus strictes, garantissant sa compatibilité avec les procédés de fabrication électronique modernes et les réglementations environnementales. Son conditionnement en bande et bobine (suffixe TR) facilite l'assemblage automatisé par prélèvement et placement pour les environnements de production à haut volume.
Ressources connexes
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