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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 800 µs
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade Automobile
Qualification AEC-Q100
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Mémoire flash NAND haute fiabilité 2 Gbit ISSI IS38SMW02G8B-JJLA2-TR

La mémoire flash NAND SLC 2 Gbit IS38SMW02G8B-JJLA2-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution haut de gamme conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel et critique. Cette mémoire non volatile haute performance offre une fiabilité exceptionnelle grâce à sa qualification automobile AEC-Q100, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant la conservation des données dans des environnements extrêmes.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, l’enregistrement des données et des systèmes embarqués.
  • Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique (SLC) garantit une endurance supérieure, des vitesses d’écriture plus rapides et une intégrité des données améliorée par rapport aux alternatives MLC.
  • Interface SPI rapide : la fréquence d’horloge de 104 MHz permet un transfert de données rapide pour les applications sensibles au temps.
  • Qualité automobile : Conforme à la norme AEC-Q100 pour les applications automobiles avec une plage de températures étendue (-40 °C à 105 °C)
  • Boîtier compact : boîtier CMS 8-WSON (8 x 6 mm) avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques optimales.
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions économes en énergie
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire flash NAND est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • stockage de données des dispositifs médicaux
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Plateformes IoT et informatiques embarquées

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