ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.00 | Dhs. 16.00 |
| 15+ | Dhs. 15.47 | Dhs. 232.05 |
| 25+ | Dhs. 15.14 | Dhs. 378.50 |
| 50+ | Dhs. 14.30 | Dhs. 715.00 |
| 100+ | Dhs. 12.62 | Dhs. 1,262.00 |
| N+ | Dhs. 2.52 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | DRAM - EDO |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 25 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |
IS41LV16100C-50TLI-TR - Circuit intégré de mémoire DRAM EDO 16 Mbit hautes performances
Le IS41LV16100C-50TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire DRAM Extended Data Out (EDO) de 16 Mbit à haute fiabilité conçu pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et de la médecine.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : temps d’accès de 25 ns pour une récupération rapide des données
- Configuration mémoire optimale : organisation 1 Mo x 16 pour un traitement parallèle efficace
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Conception pour montage en surface : boîtier 44-TSOP II pour des circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
- Assistance tout au long du cycle de vie : distribution autorisée avec traçabilité complète
Applications typiques
Ce circuit intégré de mémoire DRAM volatile est idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les mises à niveau de systèmes existants nécessitant des interfaces de mémoire parallèle fiables.
Spécifications techniques complètes
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