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15+ Dhs. 15.47 Dhs. 232.05
25+ Dhs. 15.14 Dhs. 378.50
50+ Dhs. 14.30 Dhs. 715.00
100+ Dhs. 12.62 Dhs. 1,262.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie DRAM - EDO
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 1M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS41LV16100C-50TLI-TR - Circuit intégré de mémoire DRAM EDO 16 Mbit hautes performances

Le IS41LV16100C-50TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire DRAM Extended Data Out (EDO) de 16 Mbit à haute fiabilité conçu pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et de la médecine.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : temps d’accès de 25 ns pour une récupération rapide des données
  • Configuration mémoire optimale : organisation 1 Mo x 16 pour un traitement parallèle efficace
  • Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une efficacité énergétique optimale.
  • Conception pour montage en surface : boîtier 44-TSOP II pour des circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
  • Assistance tout au long du cycle de vie : distribution autorisée avec traçabilité complète

Applications typiques

Ce circuit intégré de mémoire DRAM volatile est idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les mises à niveau de systèmes existants nécessitant des interfaces de mémoire parallèle fiables.

Spécifications techniques complètes

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