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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie DRAM - FP
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 1M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Présentation du produit

La puce mémoire DRAM IS41LV16105C-50TLI-TR de 16 Mbits, fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), est conçue pour un fonctionnement fiable dans les applications exigeantes. Cette DRAM volatile dispose d'une architecture 1M x 16 avec interface parallèle, offrant un temps d'accès rapide de 25 ns et une large plage de températures de fonctionnement, de -40 °C à 85 °C.

Caractéristiques principales

  • Capacité mémoire : 16 Mbit (organisation 1M x 16)
  • Temps d'accès rapide : 25 nanosecondes pour une récupération rapide des données
  • Plage de tension étendue : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA)
  • Boîtier de montage en surface : 44-TSOP (0,400 pouce, largeur 10,16 mm)
  • Conditionnement pratique : Bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de contrôle industriel, les appareils de télécommunications, l'électronique automobile et autres applications nécessitant une mémoire volatile fiable avec des temps d'accès rapides et une large tolérance aux températures.

Spécifications techniques

Qualité et conformité

Ce produit est conforme à la norme RoHS et répond aux normes internationales en matière de responsabilité environnementale et de sécurité des composants électroniques.