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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
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15+ Dhs. 17.19 Dhs. 257.85
25+ Dhs. 16.82 Dhs. 420.50
50+ Dhs. 15.89 Dhs. 794.50
100+ Dhs. 14.02 Dhs. 1,402.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie DRAM - FP
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 1 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Boîtier TSOP 50 broches (0,400", largeur 10,16 mm), 44 broches
Emballage du dispositif du fournisseur 50-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS41LV16105D-50TLI-TR - Circuit intégré de mémoire DRAM haute performance de 16 Mbit

Le circuit intégré IS41LV16105D-50TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire DRAM haute densité de 16 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette DRAM parallèle présente une architecture 1M x 16 et un temps d'accès rapide de 25 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Haute densité : capacité de 16 Mbit dans un boîtier compact à montage en surface TSOP II 50.
  • Accès rapide : temps d’accès de 25 ns pour des performances système réactives.
  • Large plage de fonctionnement : alimentation 3 V-3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
  • Qualité industrielle : Convient aux environnements difficiles
  • Produit sous licence : documentation complète du fabricant et traçabilité incluses
  • Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par notre engagement envers la disponibilité des composants

Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour assemblage automatisé. Conforme à la norme RoHS. Idéal pour les applications nécessitant une technologie DRAM éprouvée et fiable, avec des garanties de disponibilité à long terme.


Spécifications techniques complètes