ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-6BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.44 | Dhs. 12.44 |
| 15+ | Dhs. 12.02 | Dhs. 180.30 |
| 25+ | Dhs. 11.76 | Dhs. 294.00 |
| 50+ | Dhs. 11.11 | Dhs. 555.50 |
| 100+ | Dhs. 9.80 | Dhs. 980.00 |
| N+ | Dhs. 1.96 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |  |
IS42RM16800H-6BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile haute performance
La mémoire IS42RM16800H-6BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM mobile haut de gamme de 128 Mbit conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 166 MHz et son temps d'accès de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès aux données rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Organisation de la mémoire optimisée : la configuration 8M x 16 offre une architecture de mémoire flexible
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Boîtier compact pour montage en surface : 54-TFBGA (8x8) pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM mobile est conçue pour les applications à haute fiabilité, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Plateformes d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes informatiques embarqués
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