ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-6BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.34 | Dhs. 13.34 |
| 15+ | Dhs. 12.93 | Dhs. 193.95 |
| 25+ | Dhs. 12.65 | Dhs. 316.25 |
| 50+ | Dhs. 11.94 | Dhs. 597.00 |
| 100+ | Dhs. 10.54 | Dhs. 1,054.00 |
| N+ | Dhs. 2.11 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 4M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
IS42RM32400H-6BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile haute performance
Le circuit intégré IS42RM32400H-6BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM mobile haut de gamme de 128 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré DRAM volatil offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 166 MHz et son temps d'accès ultrarapide de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour le traitement de données à haute vitesse et la conception de systèmes embarqués.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits organisée en 4 M x 32, offrant une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles.
- Faible consommation d'énergie : la tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique des applications mobiles et alimentées par batterie.
- Conception à montage en surface : le boîtier compact 90-TFBGA (8x13) permet des agencements de circuits imprimés peu encombrants.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Cette mémoire SDRAM mobile est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et à l'instrumentation portable, où des performances de mémoire fiables et rapides sont essentielles. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste garantissent une fiabilité à long terme pour les applications critiques.
Qualité et traçabilité
Chaque composant est fourni avec une documentation de traçabilité complète et répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications professionnelles. Notre engagement en matière de disponibilité à long terme garantit le support de vos conceptions tout au long de leur cycle de vie.
Produits et ressources connexes
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