ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-5T-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.40 | Dhs. 9.40 |
| 15+ | Dhs. 9.10 | Dhs. 136.50 |
| 25+ | Dhs. 8.90 | Dhs. 222.50 |
| 50+ | Dhs. 8.41 | Dhs. 420.50 |
| 100+ | Dhs. 7.42 | Dhs. 742.00 |
| N+ | Dhs. 1.48 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 50-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S16100C1-5T-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S16100C1-5T-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 16 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les systèmes embarqués critiques. Cette mémoire volatile garantit des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 5 ns et une fréquence d'horloge de 200 MHz, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Fréquence d'horloge élevée : un fonctionnement à 200 MHz prend en charge les exigences de traitement en temps réel les plus strictes.
- Organisation flexible : architecture mémoire 1 Mo x 16 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et tolérance de température de 0 °C à 70 °C
- Conception pour montage en surface : boîtier 50-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications à haute fiabilité, notamment les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'instrumentation aérospatiale, où des performances constantes et l'intégrité des données sont essentielles.
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