ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-5TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.78 | Dhs. 6.78 |
| 15+ | Dhs. 6.55 | Dhs. 98.25 |
| 25+ | Dhs. 6.41 | Dhs. 160.25 |
| 50+ | Dhs. 6.05 | Dhs. 302.50 |
| 100+ | Dhs. 5.34 | Dhs. 534.00 |
| N+ | Dhs. 1.07 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 50-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S16100C1-5TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit
La puce IS42S16100C1-5TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute fiabilité de 16 Mbits conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés (IoT) nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides et performantes. Ce composant semi-conducteur authentique présente une organisation mémoire 1M x 16 avec interface parallèle, offrant des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 5 ns et une fréquence d'horloge de 200 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Fréquence d'horloge élevée : un fonctionnement à 200 MHz prend en charge les exigences de traitement en temps réel les plus strictes.
- Alimentation fiable : plage de tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour des performances stables.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour une tolérance environnementale robuste
- Conception pour montage en surface : boîtier 50-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Authentique et traçable : distribution autorisée avec un engagement sur l'ensemble du cycle de vie et une assurance qualité
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, l'électronique grand public et les plateformes informatiques embarquées qui exigent une mémoire volatile fiable et rapide avec une disponibilité à long terme.
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