ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-6T-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.84 | Dhs. 8.84 |
| 15+ | Dhs. 8.55 | Dhs. 128.25 |
| 25+ | Dhs. 8.36 | Dhs. 209.00 |
| 50+ | Dhs. 7.90 | Dhs. 395.00 |
| 100+ | Dhs. 6.97 | Dhs. 697.00 |
| N+ | Dhs. 1.39 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 50-TSOP II |
| RoHS |
IS42S16100C1-6T-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S16100C1-6T-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haut de gamme de 16 Mbits conçue pour les systèmes embarqués critiques, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les applications exigeantes en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 1 Mo x 16 offre un équilibre optimal entre densité et bande passante.
- Interface standard de l'industrie : l'interface mémoire parallèle assure une large compatibilité avec les architectures système existantes.
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de 0 °C à 70 °C (TA) adaptée aux environnements commerciaux et industriels
- Alimentation fiable : tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement stable et écoénergétique.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 50-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications exigeant une fiabilité élevée et des performances constantes :
- Systèmes informatiques embarqués et ordinateurs monocartes
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- équipement d'infrastructure de télécommunications
- Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- applications aérospatiales et de défense
- Routeurs et commutateurs réseau
- Acquisition de données et instrumentation
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