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25+ Dhs. 8.36 Dhs. 209.00
50+ Dhs. 7.90 Dhs. 395.00
100+ Dhs. 6.97 Dhs. 697.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 1M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 50-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16100C1-6T-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S16100C1-6T-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haut de gamme de 16 Mbits conçue pour les systèmes embarqués critiques, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les applications exigeantes en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 1 Mo x 16 offre un équilibre optimal entre densité et bande passante.
  • Interface standard de l'industrie : l'interface mémoire parallèle assure une large compatibilité avec les architectures système existantes.
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de 0 °C à 70 °C (TA) adaptée aux environnements commerciaux et industriels
  • Alimentation fiable : tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement stable et écoénergétique.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 50-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications exigeant une fiabilité élevée et des performances constantes :

  • Systèmes informatiques embarqués et ordinateurs monocartes
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • équipement d'infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • applications aérospatiales et de défense
  • Routeurs et commutateurs réseau
  • Acquisition de données et instrumentation

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