ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.14 | Dhs. 6.14 |
| 15+ | Dhs. 5.96 | Dhs. 89.40 |
| 25+ | Dhs. 5.83 | Dhs. 145.75 |
| 50+ | Dhs. 5.51 | Dhs. 275.50 |
| 100+ | Dhs. 4.86 | Dhs. 486.00 |
| N+ | Dhs. 0.97 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 50-TSOP II |
| RoHS |  |
Présentation du produit
L' IS42S16100C1-6TL-TR est un circuit intégré de mémoire SDRAM synchrone (DRAM) haute performance de 16 Mbits, fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Ce composant semi-conducteur haut de gamme offre des performances de mémoire fiables pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : l'organisation 1M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier standard de l'industrie : boîtier CMS 50-TSOP II pour une intégration facile sur circuit imprimé
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microprocesseurs et les contrôleurs
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Ce circuit intégré SDRAM utilise une technologie de mémoire volatile au format DRAM, idéale pour les applications nécessitant un stockage de données temporaire et rapide. Sa capacité de 16 Mbits, organisée en 1M x 16, offre un excellent compromis entre densité et performances. Conditionné en bande et bobine, ce composant est optimisé pour les processus d'assemblage automatisés en production de masse.
Applications
Le modèle IS42S16100C1-6TL-TR est parfaitement adapté pour :
- mémoires tampons des systèmes embarqués
- Systèmes de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Dispositifs et passerelles IoT en périphérie
- Équipements et instruments médicaux
- Infrastructure de télécommunications
Pourquoi choisir HQICKEY ?
Chez HQICKEY , nous nous spécialisons dans l'approvisionnement authentique en composants semi-conducteurs haut de gamme, avec des engagements sur tout leur cycle de vie. Notre vaste gamme de circuits intégrés mémoire comprend des DRAM, SRAM, Flash et des solutions de mémoire spécialisées provenant des plus grands fabricants. Chaque composant bénéficie de notre garantie qualité et de notre assistance technique.
Ressources et assistance techniques
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Informations de commande
Le circuit intégré IS42S16100C1-6TL-TR est disponible en conditionnement sur bande et bobine pour les commandes importantes. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et les options de conditionnement personnalisées. Nous maintenons un stock stratégique de circuits intégrés de mémoire à forte demande afin de répondre rapidement à vos besoins de production.
IS42S16100C1-6TL-TR.pdf