ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7BL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.16 | Dhs. 11.16 |
| 15+ | Dhs. 10.82 | Dhs. 162.30 |
| 25+ | Dhs. 10.58 | Dhs. 264.50 |
| 50+ | Dhs. 10.00 | Dhs. 500.00 |
| 100+ | Dhs. 8.82 | Dhs. 882.00 |
| N+ | Dhs. 1.76 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TFBGA (6,4 x 10,1) |
IS42S16100C1-7BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit
La puce IS42S16100C1-7BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une DRAM synchrone haute fiabilité de 16 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 16 Mbits avec une organisation 1M x 16 pour une gestion efficace des données
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Conception compacte : Boîtier CMS 60-TFBGA (6,4 x 10,1 mm)
- Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle pour une intégration transparente
- Conditionnement fiable : Emballage en bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales :
- Systèmes aérospatiaux et avioniques
- Électronique automobile et systèmes ADAS
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- équipement de diagnostic médical
- Infrastructure de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées
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