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25+ Dhs. 8.33 Dhs. 208.25
50+ Dhs. 7.86 Dhs. 393.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 1 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 50-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16100C1-7T - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit

La puce IS42S16100C1-7T d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone 16 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,5 ns, ce qui la rend idéale pour le traitement de données en temps réel dans les systèmes automobiles, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les applications aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent une récupération rapide des données pour les opérations critiques en temps réel.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 1M x 16 offre une gestion flexible des données pour les contrôleurs et processeurs embarqués.
  • Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) garantit des performances stables dans des environnements difficiles.
  • Conception compacte : le boîtier CMS 50-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) minimise l'encombrement sur le circuit imprimé.
  • Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes embarqués
  • Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs

Applications

Ce circuit intégré SDRAM est conçu pour les systèmes critiques nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les calculateurs automobiles, les équipements d'imagerie médicale, les infrastructures de télécommunications, l'avionique aérospatiale et les plateformes informatiques embarquées.

Spécifications techniques complètes

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