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15+ Dhs. 9.96 Dhs. 149.40
25+ Dhs. 9.75 Dhs. 243.75
50+ Dhs. 9.21 Dhs. 460.50
100+ Dhs. 8.12 Dhs. 812.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 1M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 50-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16100C1-7TI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 16 Mbit haute fiabilité

La mémoire DRAM synchrone IS42S16100C1-7TI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 16 Mbits conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette solution de mémoire volatile offre une fiabilité exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
  • Organisation optimisée de la mémoire : la configuration 1 M x 16 offre une intégration flexible dans diverses architectures système.
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Interface standard de l'industrie : l'interface mémoire parallèle simplifie l'intégration avec les microcontrôleurs et les FPGA existants.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 50-TSOP II optimise l'espace sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour des applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Plateformes ECU et ADAS automobiles
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
  • Infrastructure du réseau de télécommunications
  • Systèmes informatiques embarqués à haute fiabilité

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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haut de gamme pour les applications critiques. Notre vaste gamme de mémoires comprend des solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM provenant des plus grands fabricants. Nous garantissons l'authenticité des composants, un contrôle qualité rigoureux et un support technique expert pour vous aider à choisir la solution mémoire la mieux adaptée à votre projet.

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