ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.53 | Dhs. 4.53 |
| 15+ | Dhs. 4.38 | Dhs. 65.70 |
| 25+ | Dhs. 4.28 | Dhs. 107.00 |
| 50+ | Dhs. 4.05 | Dhs. 202.50 |
| 100+ | Dhs. 3.57 | Dhs. 357.00 |
| N+ | Dhs. 0.71 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TFBGA (6,4 x 10,1) |
| RoHS |  |
IS42S16100H-6BL - Présentation du circuit intégré de mémoire SDRAM 16 Mbit
L' IS42S16100H-6BL est un circuit intégré de mémoire SDRAM synchrone (DRAM) haute performance de 16 Mbits, fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.). Ce circuit intégré de mémoire présente une architecture 1M x 16, une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués, les applications de contrôle industriel et autres conceptions critiques nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables.
Caractéristiques et spécifications principales
- Capacité mémoire : 16 Mbit (organisation 1M x 16)
- Technologie : SDRAM (mémoire vive dynamique synchrone)
- Fréquence d'horloge : 166 MHz pour un accès aux données à haut débit
- Temps d'accès : 5,5 ns pour des opérations de lecture/écriture rapides
- Interface : Interface parallèle pour une intégration simple
- Tension d'alimentation : plage de fonctionnement de 3 V à 3,6 V
- Boîtier : 60-TFBGA (6,4 mm x 10,1 mm) montage en surface
- Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C (TA) pour les applications commerciales
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes informatiques embarqués et applications de microcontrôleurs
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de réseau et de télécommunications
- Électronique grand public nécessitant une mémoire volatile rapide
- Solutions de mise en mémoire tampon et de stockage temporaire des données
Tableau des spécifications techniques
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IS42S16100H-6BL.pdf