ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.65 | Dhs. 4.65 |
| 15+ | Dhs. 4.52 | Dhs. 67.80 |
| 25+ | Dhs. 4.42 | Dhs. 110.50 |
| 50+ | Dhs. 4.17 | Dhs. 208.50 |
| 100+ | Dhs. 3.68 | Dhs. 368.00 |
| N+ | Dhs. 0.74 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TFBGA (6,4 x 10,1) |
| RoHS |  |
IS42S16100H-6BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit
La puce IS42S16100H-6BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute fiabilité de 16 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes nécessitant un traitement rapide des données et des opérations mémoire fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 1 M x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur d’interface.
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Alimentation fiable : la plage de tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V offre une grande flexibilité dans la conception du système.
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 60-TFBGA (6,4 x 10,1 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Plateformes informatiques embarquées et ordinateurs monocartes
- Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs médicaux nécessitant des performances de mémoire fiables
- Instrumentation de test et de mesure
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader reconnu dans le domaine des semi-conducteurs de mémoire haute performance, proposant des solutions innovantes depuis plus de trente ans. Le modèle IS42S16100H-6BLI-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité, la fiabilité et l'excellence technique en matière de technologie de mémoire.
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IS42S16100H-6BLI-TR.pdf