ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7BL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.12 | Dhs. 4.12 |
| 15+ | Dhs. 4.00 | Dhs. 60.00 |
| 25+ | Dhs. 3.92 | Dhs. 98.00 |
| 50+ | Dhs. 3.70 | Dhs. 185.00 |
| 100+ | Dhs. 3.26 | Dhs. 326.00 |
| N+ | Dhs. 0.65 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TFBGA (6,4 x 10,1) |
| RoHS |  |
IS42S16100H-7BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit
La puce IS42S16100H-7BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 16 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Ce circuit intégré de mémoire volatile présente une architecture 1M x 16 avec interface parallèle, fonctionnant à des fréquences d'horloge jusqu'à 143 MHz avec un temps d'accès rapide de 5,5 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 1 M x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur des données.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V offre une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 60-TFBGA (6,4 x 10,1 mm) optimise l'espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau, aux appareils de télécommunications, à l'électronique automobile et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec des capacités d'interface parallèle.
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Spécifications techniques
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