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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 1 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-TFBGA (6,4 x 10,1)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16100H-7BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit

La puce IS42S16100H-7BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone 16 Mbit haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications critiques nécessitant un accès mémoire parallèle rapide. Ce circuit intégré mémoire haut de gamme offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 143 MHz et son temps d'accès de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les plateformes informatiques embarquées à forte intensité de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de 16 Mbits : l’organisation de la mémoire (1 M x 16) offre un équilibre optimal pour les applications embarquées gourmandes en données, avec un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon et le traitement des données en temps réel.
  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un débit de données rapide, minimisant ainsi la latence des opérations critiques.
  • Large plage de fonctionnement : sa plage de températures de -40 °C à 85 °C la rend idéale pour les environnements automobiles, aérospatiaux et industriels où les conditions extrêmes sont fréquentes.
  • Boîtier compact à montage en surface : le boîtier 60-TFBGA (6,4 × 10,1 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé tout en conservant des performances électriques et thermiques robustes.
  • Interface standard de l'industrie : l'interface SDRAM parallèle simplifie l'intégration aux conceptions existantes, réduisant ainsi le temps de développement et garantissant la compatibilité avec les systèmes existants.
  • Alimentation fiable : fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les niveaux logiques standard, permettant une intégration transparente avec les microcontrôleurs et processeurs modernes.
  • Conforme à la directive RoHS : Conception respectueuse de l'environnement conforme aux normes internationales relatives aux restrictions sur les substances dangereuses

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Cette mémoire SDRAM est conçue pour les applications exigeantes telles que les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les systèmes informatiques embarqués et les plateformes d'acquisition de données, où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste la rendent particulièrement adaptée aux environnements difficiles où la fiabilité des composants est primordiale.

Avantages en matière de performance

La mémoire IS42S16100H-7BLI-TR offre des performances exceptionnelles qui la distinguent dans les applications de mémoire embarquée. Avec sa fréquence d'horloge de 143 MHz, cette SDRAM assure des opérations de lecture/écriture rapides, essentielles au traitement des données en temps réel. Son temps d'accès de 5,5 ns garantit une latence minimale, tandis que son interface parallèle permet un transfert de données à large bande passante pour les applications nécessitant un accès multibit simultané.

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