ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.77 | Dhs. 8.77 |
| 15+ | Dhs. 8.48 | Dhs. 127.20 |
| 25+ | Dhs. 8.30 | Dhs. 207.50 |
| 50+ | Dhs. 7.84 | Dhs. 392.00 |
| 100+ | Dhs. 6.92 | Dhs. 692.00 |
| N+ | Dhs. 1.38 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |  |
IS42S16160J-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
Le circuit intégré IS42S16160J-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) de 256 Mbits haut de gamme, conçue pour les systèmes embarqués critiques et les applications industrielles. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les applications dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des télécommunications et des dispositifs médicaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 256 Mbits organisée en 16 Mbits x 16 avec interface parallèle pour une gestion efficace des données
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 54-TFBGA (8x8) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
- Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les architectures système courantes.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes informatiques embarqués et contrôleurs industriels
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Équipements de diagnostic médical et dispositifs d'imagerie
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Applications aérospatiales et de défense nécessitant un support à long terme
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