ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.38 | Dhs. 10.38 |
| 15+ | Dhs. 10.06 | Dhs. 150.90 |
| 25+ | Dhs. 9.85 | Dhs. 246.25 |
| 50+ | Dhs. 9.30 | Dhs. 465.00 |
| 100+ | Dhs. 8.21 | Dhs. 821.00 |
| N+ | Dhs. 1.64 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |
IS42S16160J-6BLI : Solution de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbits
La mémoire DRAM synchrone IS42S16160J-6BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable.
Caractéristiques et spécifications principales
- Capacité mémoire : 256 Mbit (organisation 16M x 16)
- Technologie : SDRAM (mémoire vive dynamique synchrone)
- Fréquence d'horloge : 166 MHz pour un transfert de données à haut débit
- Temps d'accès : réponse ultra-rapide de 5,4 ns
- Tension de fonctionnement : 3 V à 3,6 V pour une alimentation flexible
- Plage de température : -40 °C à 85 °C (qualité industrielle)
- Boîtier : 54-TFBGA (8x8mm) à montage en surface pour circuits imprimés compacts
- Interface : Interface parallèle pour une intégration simple
Applications et cas d'utilisation
Cette mémoire SDRAM de qualité industrielle est conçue pour les applications critiques, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Plateformes ECU et ADAS automobiles
- Automatisation industrielle et robotique
- équipement de diagnostic médical
- Infrastructure de télécommunications
- Informatique embarquée à haute fiabilité
Pourquoi choisir IS42S16160J-6BLI ?
La puce IS42S16160J-6BLI d'ISSI allie la technologie SDRAM éprouvée à une fiabilité de niveau industriel. Son boîtier TFBGA 54 broches offre d'excellentes performances thermiques et une compacité optimale, tandis que sa large plage de températures de fonctionnement garantit un fonctionnement stable même dans des environnements difficiles. Conforme à la norme RoHS et bénéficiant de la réputation de qualité d'ISSI, cette puce mémoire est le choix idéal pour les ingénieurs développant des systèmes embarqués de nouvelle génération.
Documentation technique
Des fiches techniques complètes et des notes d'application sont disponibles pour accompagner votre processus de conception, garantissant une intégration transparente dans l'architecture de votre sous-système de mémoire.
Explorez davantage de solutions pour semi-conducteurs
Vous recherchez des composants de mémoire supplémentaires ? Parcourez notre collection complète de mémoire comprenant des solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM des principaux fabricants.
Découvrez notre gamme complète de semi-conducteurs haute fiabilité chez HQICKEY , votre fournisseur de confiance de composants électroniques de qualité aérospatiale, automobile et industrielle.
Restez informé des dernières tendances du secteur, des lancements de produits et des articles techniques sur notre blog d'actualités .

IS42S16160J-6BLI.pdf