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Quantity Unit Price Total Price
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15+ Dhs. 8.45 Dhs. 126.75
25+ Dhs. 8.26 Dhs. 206.50
50+ Dhs. 7.80 Dhs. 390.00
100+ Dhs. 6.89 Dhs. 689.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II

IS42S16160J-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

Le circuit intégré de mémoire DRAM synchrone IS42S16160J-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire de haute qualité de 256 Mbits, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès rapide de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes critiques nécessitant un stockage de données robuste et un accès rapide.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : une capacité de 256 Mbits avec une organisation mémoire de 16 M x 16 offre un espace suffisant pour les applications gourmandes en données.
  • Performances rapides : une fréquence d’horloge de 166 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent une récupération et un traitement rapides des données.
  • Fonctionnement fiable : Large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 70 °C) adaptée aux environnements industriels
  • Interface standard du secteur : interface mémoire parallèle pour une intégration transparente avec les systèmes existants
  • Boîtier compact pour montage en surface : boîtier 54-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint
  • Alimentation stable : plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une gestion flexible de l’alimentation

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des télécommunications, des dispositifs médicaux et des systèmes de contrôle industriels où la fiabilité et les performances sont primordiales. Que vous conceviez des automates embarqués, des systèmes d'acquisition de données ou des équipements de communication, l'IS42S16160J-6TL-TR offre les performances mémoire requises par votre application.

Spécifications techniques

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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, garantis authentiques et disponibles sur le long terme. Notre vaste gamme de circuits intégrés mémoire comprend des solutions de mémoire DRAM, SRAM, Flash et spécialisées haut de gamme pour les applications critiques.

Ressources et assistance techniques

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