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25+ Dhs. 9.04 Dhs. 226.00
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16160J-6TLI-TR - Solution de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La puce IS42S16160J-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute fiabilité de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire volatile présente une architecture 16M x 16 avec interface parallèle, offrant des performances robustes à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les systèmes embarqués critiques en termes de temps.
  • Configuration mémoire optimale : une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.
  • Large plage de fonctionnement : sa plage de températures de -40 °C à 85 °C la rend idéale pour les environnements industriels difficiles.
  • Interface conforme aux normes industrielles : L’interface parallèle assure la compatibilité avec les architectures système existantes.
  • Alimentation fiable : la plage de tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V assure un fonctionnement stable quelle que soit la configuration d'alimentation.
  • Conditionnement professionnel : le conditionnement en bande et bobine au format CMS 54-TSOP II facilite les processus d’assemblage automatisés.

Spécifications techniques

Applications

Ce composant de mémoire SDRAM est spécialement conçu pour les applications à haute fiabilité, notamment :

  • Systèmes aérospatiaux et avioniques nécessitant des performances de mémoire fiables
  • Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements médicaux et dispositifs de diagnostic
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées et systèmes à microcontrôleurs

Qualité et conformité

Le contrôleur IS42S16160J-6TLI-TR est conforme à la norme RoHS, garantissant ainsi le respect de l'environnement et des réglementations pour un déploiement mondial. Son boîtier CMS 54-TSOP II offre d'excellentes performances thermiques et une grande stabilité mécanique pour les applications critiques.

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