ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.54 | Dhs. 8.54 |
| 15+ | Dhs. 8.27 | Dhs. 124.05 |
| 25+ | Dhs. 8.09 | Dhs. 202.25 |
| 50+ | Dhs. 7.64 | Dhs. 382.00 |
| 100+ | Dhs. 6.74 | Dhs. 674.00 |
| N+ | Dhs. 1.35 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |  |
IS42S16160J-7BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
Le circuit intégré IS42S16160J-7BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire DRAM synchrone haut de gamme de 256 Mbits conçue pour les systèmes embarqués à haute fiabilité et les applications critiques. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration d’interface parallèle 16 M x 16 pour une intégration système polyvalente
- Alimentation fiable : plage de tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement stable
- Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 70 °C (TA), adaptée aux environnements commerciaux et industriels.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 54-TFBGA (8x8) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté aux applications exigeantes nécessitant un accès rapide aux données et des performances fiables, notamment les contrôleurs embarqués, les systèmes d'acquisition de données, les équipements de réseau, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux et l'infrastructure de télécommunications.
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